![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Интегральная микросхема позволяет регистрировать ионизирующее излучение и заряженные частицы большой энергии и может быть использована для проведения экспериментальных исследований воздействия тяжелых заряженных частиц на электронную компонентную базу космического применения и другие материалы при эксплуатации в условиях, имитирующих радиационное воздействие космического пространства. Включает диоды, которые в режиме обратного смещения обеспечивают регистрацию ионизирующего излучения и заряженных частиц, группу охранных колец, каждое из которых обеспечивает изоляцию внутренней структуры микросхемы от края, вскрытия в тонком окисле для обеспечения устойчивого и омического контакта между компонентами микросхемы и контактные площадки для монтажа микросхемы в аппаратуру или корпус. Связь между элементами обеспечена слоем металлизации, которая позволяет объединить матрицы высоковольтных обратно смещенных P-i-N диодов параллельно для обеспечения большой чувствительной площади (10 см^2 ), матрица изготовлена по планарной технологии из высокоомного и сверхчистого кремния бестигельной зонной плавки.