ИСТИНА

Программа моделирует рост полупроводниковых InAs/GaAs квантовых точек hut-типа по механизму Странского-Крастанова, используя метод скользящего градиента. Рассчитываются энергии экситонов внутризонных переходов в потенциальных ямах DWELL структуры с усеченными пирамидальными квантовыми точками. Результатом моделирования является расчет и графическое отображение спектра поглощения z-поляризованного излучения DWELL-структур с внедренными квантовыми точками In0.75Ga0.25As. Исходными данными являются: геометрия квантовых точек и их размеры, ширины запрещенных зон материалов, температура окружающей среды: плотность мощности падающего излучения. Может применяться для оптимизации технологических процессов получения квантово-размерных гетероструктур, а также при обучении бакалавров и магистров по направлению подготовки «Нанотехнология в электронике».