Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Porous Semiconductors - Science and Technology Conference
сборник
Год издания:
1998
Место издания:
Alicante-Benidorm, Spain
Добавил в систему:
Козлов Сергей Николаевич
Статьи, опубликованные в сборнике
1998
Conductivity modulation of the oxidized porous silicon by the drifting surface charge
Козлов С.Н.
,
Петров А.А.
,
Демидович В.М.
,
Демидович Г.Б.
в сборнике
Porous Semiconductors - Science and Technology Conference
, место издания
Alicante-Benidorm, Spain
, с. 60-61
1998
Influence of an adsorptionon the charge transport in the porous silicon and the oxidized porous silicon
Петров А.А.
,
Козлов С.Н.
,
Демидович В.М.
,
Демидович Г.Б.
в сборнике
Porous Semiconductors - Science and Technology Conference
, место издания
Alicante-Benidorm, Spain
, с. 177-178
1998
Stabilization dynamics of the Si-porous Si structure
Карибьянц В.Р.
,
Козлов С.Н.
,
Демидович Г.Б.
в сборнике
Porous Semiconductors - Science and Technology Conference
, место издания
Alicante-Benidorm, Spain
, с. 179-180