Abstracts of The Third General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science – Virtual Organisation)сборник
-
Год издания:
2009
-
Место издания:
IMR, Tohoku University, Japan, 16-18 February
-
Сборник тезисов
-
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич
Статьи, опубликованные в сборнике
-
-
2009
Noise characteristics and charge sensitivity of highly doped SOI based single-electron transistor versus Al/AlOx/Al junctions based device
-
Krupenin V.A.,
Presnov D.E.,
Vlasenko V.S.,
Trifonov A.S.,
Amitonov S.V.
-
в сборнике Abstracts of The Third General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science – Virtual Organisation), место издания IMR, Tohoku University, Japan, 16-18 February, тезисы, с. PS-26