Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Proc. of the 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors
сборник
Год издания:
1997
Место издания:
Tokushima
Добавил в систему:
Юнович Александр Эммануилович
Статьи, опубликованные в сборнике
1997
Changes of Luminescent and Electrical Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes During a Long Work at Forward Currents
Kovalev A.N.
,
Kudryashov V.E.
,
Manyakhin F.I.
,
Turkin A.N.
,
Yunovich A.E.
в сборнике
Proc. of the 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors
, место издания
Tokushima
, с. 46-47