Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"сборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2016 ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА СВОЙСТВА ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫХ ВЧ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ МИШЕНИ И ОКСИДА ЦИНКА, ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ
  • Алалыкин А.С., Дурман Е.А., Закирова Р.М., Ветошкин В.М., Костенков Н.В., Крылов П.Н., Федотова И.В.
  • в сборнике Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 311-312
• • 2016 ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫХ ВЧ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ МИШЕНЕЙ ЦИНКА И ОКСИДА ЦИНКА
  • Алалыкин А.С., Дурман Е.А., Закирова Р.М., Ветошкин В.М., Крылов П.Н., Федотова И.В., Юдинцева К.С.
  • в сборнике Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 309-310
• • 2016 Нанокомпозитные системы на базе легированного ZnS, осажденного на пористый оксид алюминия
  • Бельтюков А.Н., Валеев Р.Г., Чукавин А.И.
  • в сборнике Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 296-296
• • 2016 Природа и свойства спиновых центров в образцах оксида цинка, модифицированного квантовыми точками
  • Миронов А.А., Константинова Е.А., Кашкаров П.К.
  • в сборнике Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 283-284
• • 2016 Фотолюминесценция наноструктур Ge в матрице пористого оксида алюминия
  • Бельтюков А.Н., Валеев Р.Г.
  • в сборнике Х Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", место издания Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, тезисы, с. 295-295