International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318)сборник
Статьи, опубликованные в сборнике
-
-
1999
Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a high performance modular BiCMOS process
-
King C.A.,
Frei M.R.,
Mastrapasqua M.,
Ng K.K.,
Kim Y.O.,
Johnson R.W.,
Moinian S.,
Martin S.,
Cong H.I.,
Klemens F.P.,
Tang R.,
Nguyen D.,
Hsu T.I.,
Campbell T.,
Molloy S.J.,
Fritzinger L.B.,
Ivanov T.G.,
Bourdelle K.K.,
Lee C.,
Chyan Y.F.,
Carroll M.S.,
Leung C.W.
-
в сборнике International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), место издания IEEE 1999
DOI