ИСТИНА

• Охват: Всероссийская
• Даты проведения: 28 сентября - 30 октября 2016
• Место проведения: ФИАН им. П.Н. Лебедева, Россия
• Организатор:
  ФИАН им. П.Н. Лебедева
• Веб-сайт: http://confelectronics.ru/index.php/program/
• Описание конференции:

  Тематика Сильноточная электроника Электровзрывные процессы Проекционная рентгенография Электронная и фотоэмиссия Взаимодействие фемтосекундных лазерных импульсов с наноантеннами, Оптоэлектроника и терагерцовая электроника, Полупроводниковые гетероструктуры.

• Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич

Доклады:

• 2016 Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого раствора (Стендовый)
• Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.

• 2016 ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ InGaAs ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКЕ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1.56 МКМ (Устный)
• Авторы: Кузнецов К.А., Галиев Г.Б., Китаева Г.Х., Корниенко В.В., Пушкарёв С.С., Климов Е.А.

• 2016 Эффекты рассеяния при терагерцовой спектроскопии гранулированных сред (Стендовый)
• Авторы: Корниенко В.В., Ахмеджанов Р.А., Иляков И.Е., Китаева Г.Х., Прудковский П.А., Шишкин Б.В., Леонтьев А.А.