Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Internat. Conf. on Extended Defects in Semiconductors (EDS 2016)
Конференция
Охват:
Международная
Даты проведения:
25-29 сентября 2016
Место проведения:
Toulouse, France
Организатор:
University Aix-Marseille
Число участников:
100
Добавил в систему:
Куликаускас Вацловас Станиславович
Доклады:
2016
Modification of Zn implanted Si by swift Xe ion irradiation
(Устный)
Авторы:
PRIVEZENTSEV V.
,
KULIKAUSKAS V.
,
ZATEKIN V.
,
EIDELMAN K.
,
SKURATOV V.
,
TABACHKOVA N.
,
DIDYK A.