![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Тематика III Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»: A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных; B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур; C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные, виртуальные модели и т.д.). D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике. E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения; F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д. G. Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе.