ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Конференция была организована Научно-Исследовательским Ядерным Университетом МИФИ и Фондом имени В.Г.Мокерова. На Конференции было около 100 участников, представивших более 30 докладов по фундаментальным проблемам наногетроструктур и полупроводниковых приборов на их основе. Тематика докладов была связана с разработкой приборов СВЧ- диапазона, как на Si, так и на разных соединениях типа AIIIBV. Были представлены также новые работы по светодиодам на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов.