ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
23-25 марта 2015 г в Санкт-Петербурге планируется проведение 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы». Конференция продолжит традиции Рабочих Совещаний (1997-2000 гг) и Всероссийских Конференций (2001-2013 г.), проводившихся поочередно в Москве и Санкт-Петербурге. Планируемое место проведения конференции – «Гелиос-отель», , Зеленогорск. Оргкомитет планирует проведение Конференции в течение трех дней. Планируется проведение устных и стендовых сессий. Каждая устная сессия будет предваряться приглашенным докладом. Планируется приглашение иностранных участников. Официальный язык конференции – Русский. Зарубежным участникам допустимо представление докладов на Английском языке. В рамках Конференции планируется проведение выставки и круглого стола, посвященных промышленному производству продукции, имеющей отношение к III-N соединениям: исследовательского и технологического оборудования, исходных материалов и подложек, электронных приборов, модулей и конечных устройств. Желающим принять участие в выставке необходимо связаться с Оргкомитетом. ТЕМАТИКА КОНФЕРЕНЦИИ •1. Подложки для III-N эпитаксии и технология объемного роста •2. Эпитаксиальные методы роста. •3. Оптические, электрические и структурные свойства материалов. •4. Свойства квантово-размерных структур на основе нитридов. •5. Конструкции, технологии и параметры приборов на основе нитридов. •6. Электронные и оптоэлектронные устройства на основе нитридов.