|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Laser treatment of Se/Bi heterostructure: Bi2Se3 nanofilm formationдоклад на конференции
- Авторы: Mikheev G.M., Kogai V.Ya, Mikheev K.G.
- Всероссийская с международным участием Конференция : 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures "Saint-Petersburg OPEN 2017"
- Даты проведения конференции: 3-6 апреля 2017
- Дата доклада: 3 апреля 2017
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Mikheev K.G.
- Место проведения: Санкт-Петербург, Russia
-
Аннотация доклада:
Thin films of Se/Bi heterostructure were obtained by the by thermal vaporization of Se and Bi powders in a vacuum camera. A focused He-Ne laser beam is shown to cause local darkening of Se/Bi heterostructure at incident power densities above 3.5 kW/cm2. Data obtained from Raman spectra at 632.8 nm before and after laser treatment indicate that the darkening is accompanied by Bi2Se3 formation.
- Добавил в систему: Михеев Константин Георгиевич