ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
На основе типовых элементов параметризации: однородный слой с криволинейными границами (Layer), неоднородный слой (Facies), неоднородная решетка (Grid) распределения удельной электропроводности и комбинаций строятся схемы параметризации для неоднородных 2D геоэлектрических разрезов. Рассмотрена технология построения набора параметризованных классов и процедура создания на их основе альбома НС палеток.