Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes
доклад на конференции
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Polozhentsev K.Y.
,
Chervyakov A.V.
,
Bokov P.Y.
Международная Конференция :
2nd International conference on enhances spectroscopies
Даты проведения конференции:
12-15 октября 2015
Дата доклада:
14 октября 2015
Тип доклада:
Стендовый
Докладчик:
не указан
не указан
Avakyants L.P.
Aslanyan A.E.
Polozhentsev K.Y.
Chervyakov A.V.
Bokov P.Y.
Место проведения:
Мессина, Italy
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич