ИСТИНА

Комплексы цинка с основаниями Шиффа, обладающие люминесцентными свойствами, могут выступать в качестве “лигандов”, насыщающих координационную сферу лантанидов (LnIII) в гетерометаллических комплексах (ГМК), построенных по принципу комплекс 3d- металла как лиганд. В этом случае появляется возможность использования комплексов ZnII для сенсибилизации люминесценции LnIII. Такие соединения находят применение для создания различных осветительных, телекоммуникационных устройств, а также как биоматериалы1, 2. В работе синтезированы и охарактеризованы различными физико-химическими методами два новых ГМК, производные гексафторацетилацетонатов лантанидов (Ln(hfa)3; Hhfa – гексафторацетилацетон; Ln = EuIII, GdIII) и комплекса цинка с основанием Шиффа, производного этилендиамина и о-ванилина (ZnMO1·H2O). Монокристаллы ГМК европия(III) и гадолиния(III) были получены при медленном упаривании на воздухе из раствора метанола, кристаллографические параметры этих молекул очень близки друг к другу. Комплексы [Zn(μ−MO1)(μ2–CF3COO)Ln(hfa)2] (Ln = EuIII, GdIII) изоструктурные, на рис. 1 приведена кристаллическая структура комплекса гадолиния(III). При синтезе ГМК произошло превращение одного hfa– лиганда в CF3COO−. Анион CF3COO–, проявляя мостиковую функцию, достраивает координационный полиэдр цинка до искаженной квадратной пирамиды (рис. 1). Проявление мостиковой функции CF3COO– препятствует координации молекул растворителя, как в случае цинка, так и LnIII. По спектрам фосфоресценции комплексов GdIII состава: Gd(CF3COO)3·6H2O, Gd(hfa)3·2H2O и [Zn(μ−MO1)(μ2–CF3COO)Gd(hfa)2] проведена оценка энергий триплетных уровней лигандов, входящих в состав ГМК. Спектры фотолюминесценции [Zn(μ−MO1)(μ2−CF3COO)Eu(hfa)2] в видимой области спектра содержат широкую полосу при ∼450 нм (22220 см–1), отвечающую π→π* переходам между уровнями цинковой части комплекса, а также пики, обусловленные f–f переходами между уровнями EuIII 5D0→7FJ (J = 0−4). Литература 1. S. Comby, J.-C. G. Bünzli (2007) Lanthanide near-infrared luminescence in molecular probes and devices: Handbook on the physics and chemistry of rare earth (Eds.: K.A. Gschneider, Jr., J.-C. G. Bünzli, V.K. Pecharsky) // Elsevier B.V., V. 37., Ch. 235, p. 217. 2. A. de Bettencourt-Dias (2007) Lanthanide-based emitting materials in light-emitting diodes // Dalton Trans., p. 2229.