A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurementsдоклад на конференции
Авторы:
Kozlova J.P. ,
Bowles T.J. ,
Eremin V.K. ,
Gavrin V.N. ,
Veretenkin E.P. ,
Markov A.V. ,
Morozova V.A. ,
Poljakov A.J. ,
Verbitskaja E.M. ,
Koshelev O.G.
Международная Конференция (Конгресс) :
9th EUROPEAN SYMPOIUM ON SEMICONDUCTOR DETECTORS
Даты проведения конференции:
23-27 июня 2002
Дата доклада:
24 июня 2002
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Kozlova J.P.
Bowles T.J.
Eremin V.K.
Gavrin V.N.
Veretenkin E.P.
Markov A.V.
Morozova V.A.
Poljakov A.J.
Verbitskaja E.M.
Koshelev O.G.
Место проведения:
Schloss Elmau, Германия, , Germany
Добавил в систему:
Кошелев Олег Григорьевич