ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Приведены результаты измерений кинетики изменения фотопроводимости (ФП) и темновой проводимости (ТП) нелегированных пленок a-Si:H во время и после освещения светом, а также температурные зависимости ФП и ТП отожженных и предварительно освещенных пленок. Установлено, что при температурах, близких к комнатной, превалирует быстрый процесс, обуславливающий понижение ФП и ТП во время освещения, связанный с образованием оборванных связей кремния, а при температурах выше 400К преобладает медленный процесс, обуславливающий повышение ФП и ТП. Проведен анализ полученных результатов.