![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Установлено влияние спектральный состав света на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si:H. Это связано с межзонной генерацией электронов или смешанной, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов из-за изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней - оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоистых пленках с малой врожденной концентрацией оборванных связей при смешанной генерации рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур.