ИСТИНА

Исследованы температурные зависимости фотопроводимости и темновой проводимости, а также люкс-амперные характеристики (ЛАХ) нелегированных слоистых пленок a-Si:H в интервале температур 130К-460К. Пленки были выращены методом циклического осаждения с отжигом каждого слоя в плазме водорода и состояли из чередующихся слоев толщиной 2 нм и 14 нм с большим и малым содержанием водорода. Исследованные пленки содержат большую концентрацию кислорода в тонких слоях. Толстые слои имеют малую концентрацию оборванных связей кремния, что связано со структурной релаксацией аморфной матрицы кремния в процессе отжига в плазме водорода. Установлено, что пленки имеют высокую фоточувствительельность. Показано, что высокая фоточувствительность может быть обусловлена малым содержанием в пленке дефектов (оборванных связей кремния), большой концентрацией в глубине запрещенной зоны электронных состояний с меньшим, чем для оборванных связей, коэффициентом захвата электронов и неоднородным их распределением в пленке.