ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В показано, что в нелегированных пленках a-Si:H под действием освещения образуются ансамбли быстрых и медленных метастабильных дефектов, энергетические уровни которых расположены, соответственно, вблизи середины запрещенной зоны и в верхней ее половине. При этом быстрые фотоиндуцированные метастабильные дефекты являются рекомбинационными центрами для электронов. Это позволяет говорить о них, как о метастабильных фотоиндуцированных нейтральных оборванных связях. Что касается природы и механизма образования и релаксации медленных метастабильных дефектов, то они определяются более крупномасштабными структурными перестройками матрицы аморфного гидрированного кремния под действием освещения.