ИСТИНА

В работе были проведены исследования ряда закономерностей фотоиндуцированной релаксации медленных метастабильных дефектов (МД) в легированных пленках a-Si:H p-типа с целью выяснения механизма этого процесса. Проведены измерения кинетики релаксации ансамблей медленных фотоиндуцированных МД при разных температурах в темноте и при наличии подсветки различной интенсивности. Установлено, что скорость фотоиндуцированной релаксации зависит от температуры, освещения и концентрации МД. Были проведены также измерения кинетики термической релаксации ансамблей МД после их частичного изохронного отжига в темноте и при различных подсветках. Эта термическая релаксация описывается растянутой экспонентой, параметры которой определяют полную концентрацию дефектов в ансамбле, максимум функции распределения дефектов по времени релаксации и полуширину этой функции. Установлено, что фотоиндуцированная релаксация (МД) изменяет ансамбль во время его предварительного отжига с подсветкой подобно предварительному отжигу в темноте: уменьшается концентрация МД в ансамбле, увеличивается эффективное время жизни, уменьшается полуширина ансамбля за счет отжига МД с малым временем жизни. Такие изменения ансамбля происходят при условии малой скорости фотоиндуцированного образования МД подсветкой по сравнению со скоростью фотоиндуцированной релаксации дефектов. Обсуждаются возможные механизмы фотоиндуцированной релаксации МД в легированных пленках a-Si:H.