ИСТИНА

Установлено, что слоистые пленки a-Si:H, выращенные методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме, имеют высокую фоточувствительность, которая превышает в области комнатных температур более, чем на порядок, фоточувствительность стандартных нелегированных пленок a-Si:H, выращенных осаждением в плазме ВЧ тлеющего разряда. Большая величина фоточувствительности слоистых пленок определяется их малой темновой проводимостью и высокой фотопроводимостью в области комнатных температур. Показано, что это может быть обусловлено наличием «очувствляющих» акцепторных уровней с малым коэффициентом захвата электронов и связанных с повышенной концентрацией кислорода на границе слоев, а также с уменьшенной концентрацией оборванных связей кремния в глубине слоев с более упорядоченной структурой.