ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В работе приведены результаты измерений температурных зависимостей темновой проводимости, фотопроводимости и люксамперные характеристики пленок a-Si:H до и после их высокотемпературного отжига в потоке водорода. Измеренные спектры комбинационного рассеяния и спектры поглощения света в этих отожженных пленках не обнаруживают кристаллической фазы. Наличие фотопроводимости в этих пленках, имеющих большую концентрацию оборванных связей кремния, являющихся центрами рекомбинации, можно объяснить присутствием в отожженной пленке слоя с малой концентрацией оборванных связей, который и является фотопроводящим слоем. При низких температурах наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка на уровне Ферми.