|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H.доклад на конференции
- Авторы: Ормонт Н.Н., Прокофьев Г.В., Курова И.А.
- Международная Конференция : IV Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
- Даты проведения конференции: 2004
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Санкт-Петербург, ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе, Russia
-
Аннотация доклада:
Обнаружено, что кинетика изменения концентрации фотоиндуцированных метастабильных электрически активных примесей (МЭАП), созданных предварительным сильным освещением пленки a-Si:H(B), в процессе релаксации при подсветке определяется не только термическим отжигом МЭАП, но и их фотоиндуцированным образованием и фотоиндуцированным отжигом. Фотоиндуцированный отжиг повышает скорость уменьшения концентрации МЭАП по сравнению со скоростью термического отжига в начальный период релаксации, когда его скорость больше скорости фотоиндуцированного образования МЭАП. Фотоиндуцированный отжиг МЭАП вместе с их фотоиндуцированным образованием изменяет распределение по времени в ансамбле неотожженных МЭАП, уменьшая эффективное время термической релаксации этого ансамбля.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна