|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности эффекта Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором.доклад на конференции
- Авторы: Курова И.А., Громадин А.Л., Ормонт Н.Н.
- Конференция : Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000")
- Даты проведения конференции: 2000
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Исследовались высокоомные, слабо легированные бором слои a-Si:H, которые используются в качестве i-слоев в p-i-n-структурах. Получено, что кинетика изменения темновой проводимости этих пленок во время и после их освещения немонотонна.Это связывается с образованием двух типов фотоиндуцированных состояний - быстрых и медленных. Наблюдалась "аномальная" кинетика темновой проводимости проводимости во время и после освещения i-слоев. Предполагается, что "аномальные" изменения проводимости определяются ее биполярностью, обусловленной расположением уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна