![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В последние годы всё больший научный интерес вызывает сравнительно молодая область материаловедения – органическая электроника. Так, органические светоизлучающие транзисторы (OLET) могут стать основой для будущих гибких и недорогостоящих дисплеев, а органический инжекционный лазер – принципиально новым типом источника лазерного излучения. Многообещающими материалами для данных типов устройств являются монокристаллические полупроводниковые тиофен-фениленовые, фуран-фениленовые олигомеры. Они сочетают в себе высокую эффективность люминесценции и подвижности носителей заряда. Было установлено, что оптические свойства этих материалов зависят от примесей. Примеси существенно влияют на спектр люминесценции и квантовой эффективности. Однако исследование примесей в кристаллах, которые будут применятся в устройствах, является затрудненным. Для обнаружения примесей в органических полупроводниках можно использовать спектры малого поглощения в полосе прозрачности. Исследование поглощения обычными методами (спектр пропускания) в данной области затруднено. В настоящей работе используется чувствительный дефлекционный фототепловой метод «мираж-эффект» [1] (экспериментальная схема представлена на рисунке 1а). В качестве источника возбуждения используется монохроматизированный свет высокой яркости. При помощи экспериментальной установки, основанной на данном методе, были измерены спектры органических полупроводников, один из них представлен на рис. 1б (BPFB, выращенный растворным методом). На рисунке 1б четко видна линия поглощения примеси, которая была измерена в изучаемом кристалле. Таким образом методика позволяет оценить концентрацию примеси в монокристалле без его растворения. Стоит отметить о возможности исследования распределения примесей по исследуемому кристаллу.