ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследована кинетика изменения фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H в интервале температур 180-400К при образовании метастабильных дефектов в условиях освещения пленок белым светом и их отжиге. Установлено, что кинетика изменения фотопроводимости при отжиге фотоиндуцированных дефектов описывается растянутой экспонентой, параметры которой зависят от начального состояния, температуры отжига и интенсивности подсветки. Это указывает на существенную роль диффузии водорода в процессах образования и отжига дефектов при температурах выше комнатной.