ИСТИНА

Исследовано ИК излучение из бегущих и статических акустоэлектрических доменов в GaAs. Исследование пространственно-временных характеристик излучения показало, что начало излучения, его длительность и интенсивность связаны с расположением неоднородностей в образце и фронтом импульса напряжения, определяющими генерацию "шоковых" пакетов фононов. С помощью метода электронно-оптической хронографии получены снимки общего вида излучения и его развертки во времени. Обсуждены возможные механизмы возникновения излучения.