|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Polarization mode switching in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs diodes in presence of compressive stressдоклад на конференции
- Авторы: Bogdanov E.V., Kolokolov K.I., Tikhomirova G.V., Minina N.Ya, Melnikova N.V.
- Международная Конференция : Joint AIRAPT-25th & EHPRG-53rd International Conference on High Pressure Science and Technology (Spain, Madrid, 2015)
- Даты проведения конференции: 31 августа - 4 сентября 2015
- Дата доклада: 2 сентября 2015
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Мадрид, Spain
-
Аннотация доклада:
В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на излучение лазерных диодов анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий, а также данные экспериментальных исследований поляризации излучения структур с квантовой ямой из GaAs0.84P0.16 шириной 14 нм при одноосном сжатии до 5 кбар вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович