ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
В последнее время большое внимание уделяется трехмерным моделям различных клеточных культур, сформированным в объеме полимерных матриксов заданной морфологии и предлагаемых в качестве биомиметических имплантатов для решения задач регенеративной медицины. Природные полисахариды, в том числе хитозан и его производные, могут быть успешно использованы для создания подобных структур за счет высокой клеточной аффинности и способности к контролируемой биорезорбции. Для получения материалов с высокой степенью воспроизводства заданной морфологии используют технологию лазерной микростереолитографии, основанную на инициировании локальных пространственных сшивок между реакционноспособными звеньями макромолекул под действием лазерного излучения при реализации одно- или двухфотонного поглощения в УФ-области спектра. В последнем случае возможно регулировать внутреннюю архитектуру матриксов c разрешением до 200-400 нм. Для того чтобы повысить реакционную способность функциональных групп полимеров в реакциях сшивания при воздействии лазерного излучения в их структуру вводят непредельные группы. Химическая модификация природных полисахаридов, в частности, получение их производных – простых и сложных эфиров, получение хитозана при щелочном деацетилировании хитина, проведение привитой полимеризации на полисахариды и т. п. требует предварительной активации полисахаридов и использования большого избытка агрессивных реагентов с последующей их дорогостоящей регенерацией. Поэтому разработка новых методов модифицирования хитозана с целью получения материалов с улучшенными свойствами, позволяющими повысить его растворимость, сорбционную емкость, физико-механические характеристики и способность к образованию пленок, волокон, наночастиц и сшитых структур, является актуальной задачей. В настоящей работе для получения непредельных производных хитозана, реакционноспособных при инициировании процесса пространственной сшивки в малом объеме, предложен метод воздействия на полимеры давления и сдвиговых напряжений.