ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследованы зависимости фотопроводимости пленок a-Si:H от температуры, напряженности электрического поля и температуры предварительного освещения. Обсуждается природа и механизмы наблюдаемых зависимостей.