ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Получено, что в легированных пленках a-Si:H под влиянием освещения или закалки (быстрого охлаждения) образуются фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния (ФМС и ТМС), обуславливающие повышение проводимости. Проведены исследования релаксации ФМС и ТМС в одних и тех же пленках a-Si:H(P). Установлено, что релаксация как ФМС, так и ТМС описывается растянутой экспонентой с параметрами по-разному зависящими от температуры. Образование ФМС и ТМС, приводящих к повышению темновой проводимости, может быть связано с активацией пассивированных водородом атомов фосфора.