|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурахдоклад на конференции
- Авторы: Звягин И.П., Ормонт Н.Н., Курова И.А., Казанский А.Г.
- Конференция (Симпозиум) : Всероссийский симпозиум “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
- Даты проведения конференции: 1998
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. С.-Петербург, ФТИ им. А.Ф.Иоффе
-
Аннотация доклада:
Исследовались процессы образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах. Немонотонная кинетика фотоиндуцированных структурных изменений и релаксации при повышенных температурах указывает на сосуществование двух процессов, один из которых соответствует созданию оборванных связей кремния, другой же имеет аномальные характеристики. Предложена феноменологическая модель, которая описывает аномальные процессы.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна