ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Рассматривается возможность моделирования процессов в мощных полупроводниковых лазерах с широким контактом с учётом ограничений, накладываемых малой длиной когерентности излучения этих приборов, ведущей к распаду оптического поля на нефазированные каналы генерации.