ИСТИНА

Определены условия и механизмы контролируемого изменения магнитной анизотропии посредством термообработки пленок GaMnSb, содержащих магнитные нановключения MnSb. С помощью СКВИД-магнитометра измерены температурные и полевые зависимости магнитного момента двух групп образцов — до и после отжига. Установлено, что термообработка пленок GaMnSb приводит к заметному увеличению характеристик, определяющихся магнитной анизотропией: температуры блокировки от 95 К до 390 К и поля магнитной анизотропии от 330 Э до 630 Э. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что изменение магнитной анизотропии пленок GaMnSb в результате термообработки может быть обусловлено переходом кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (пространственная группа P63/mmc) в кубическую (пространственная группа F-43m).