|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Получение эпитаксиальных тонких пленок гексагонального LuFeO3 методом MOCVDдоклад на конференции
- Авторы: Шуркина А.С., Нигаард Р.Р., Маркелова М.Н.
- Международная Конференция : Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных "Ломоносов-2018". Секция "Фундаментальное материаловедение и наноматериалы"
- Даты проведения конференции: 9-13 апреля 2018
- Дата доклада: 11 апреля 2018
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Шуркина А.С.
- Место проведения: Russia
-
Аннотация доклада:
Гексагональная фаза LuFeO3 (P63mc) является мультиферроиком при комнатной температуре (ТC=1050 К и ТN=440 К), что открывает уникальные возможности для создания новых электронных устройств и пленочных гетероструктур для запасания низкоконвертируемой термальной энергии [1]. Стабильная в объемном виде фаза LuFeO3 имеет кристаллическую структуру перовскита (Pcmn). Нашей группой была впервые показана возможность стабилизации гексагональной модификации в тонких пленках.
- Добавил в систему: Nygaard Roy