ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Молекулярные магнитные материалы имеют повышенный интерес вследствие их необычных физических свойств и потенциального применения в устройствах записи информации со сверхвысокой плотностью данных (из-за нанометровых размеров единичных битов), спинтронике и квантовых вычислениях. За прошедшие три десятилетия с момента обнаружения медленной магнитной релаксации в кластере Mn12 было синтезировано и охарактеризовано огромное количество полиядерных комплексов d- и f- металлов, проявляющих свойства мономолекулярных магнитов (МММ). Моноядерные комплексы переходных металлов рассматривались только как строительные блоки для МММ. Однако, оказалось, что эти простые системы сами обладают свойством медленной магнитной релаксации. Они были отнесены в отдельный класс МММ - моноионные магниты (МИМ). В докладе сообщается о синтезе, структуре и магнитных свойствах моноядерного высокоспинового (S = 3/2) комплекса Co(II), демонстрирующего свойства индуцируемого полем МИМ.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|