ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Рассмотрены условия выращивания и свойства кристаллов Er,Yb:YAl3(BO3)4 - элементной базы лазеров с диодной накачкой в области 1.5-1.6 мкм