|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Conductivity modulation of the oxidized porous silicon by the drifting surface chargeдоклад на конференции
- Авторы: Петров А.А., Козлов С.Н., Демидович В.М., Демидович Г.Б.
- Международная Конференция : Porous Semiconductors - Science and Technology PSST
- Даты проведения конференции: 16-20 марта 1998
- Дата доклада: 18 марта 1998
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Mallorca, Spain
- Добавил в систему: Козлов Сергей Николаевич