|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Influence of an adsorptionon the charge transport in the porous silicon and the oxidized porous siliconдоклад на конференции
- Авторы: Козлов С.Н., Демидович Г.Б., Демидович В.М., Петров А.А.
- Международная Конференция : Porous Semiconductors - Science and Technology PSST
- Даты проведения конференции: 16-20 марта 1998
- Дата доклада: 18 февраля 1998
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Mallorca, Spain
- Добавил в систему: Козлов Сергей Николаевич