Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a 3D topological insulator and a 3D normal insulator
доклад на конференции
Авторы:
Menshov V.N.
,
Tugushev V.V.
,
Chulkov E.V.
Международная Конференция :
Spin physics, Spin chemistry and Spin technology June 1-5, 2015, St.Petersburg, Russia
Даты проведения конференции:
1-5 июня 2015
Дата доклада:
3 июня 2015
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Menshov V.N.
Tugushev V.V.
Chulkov E.V.
Место проведения:
Санкт Петербург, Russia
Добавил в систему:
Тугушев Виктор Витальевич