ИСТИНА

В работе представлено теоретическое описание и экспериментальное исследование акустооптического (АО) взаимодействия на продольных и сдвиговых акустических волнах в плоскости XZ монокристалла теллура. Для теоретического исследования акустических и акустооптических свойств создана компьютерная программа, позволяющая рассчитывать указанные свойства для произвольной плоскости кристаллов. На основе литературных данных о значениях упругих констант, об оптических свойствах кристалла, а также исходя из кристаллографического класса симметрии, в ходе численного анализа были определены скорости акустических волн в кристалле теллура. Для расчета были использованы усредненные значения независимых упругих констант: c11 = 3.76•1010 Па, c12 = 0.94•1010 Па, c13 = 2.88•1010 Па, c14 = 1.43•1011 Па, c33 = 7.85•1010 Па и c44 = 3.55•1010 Па. В случае расчета акустической задачи программа позволила получить сечения поверхности акустической медленности произвольной плоскостью. При анализе акустооптических свойств материала был проведен расчет углочастотных зависимостей в плоскости XZ кристалла, справедливый также и для произвольной плоскости АО взаимодействия. В работе теоретически определены скорости и поляризации акустических волн, распространяющихся в плоскости XZ монокристалла теллура, а также зависимости угла Брэгга от частоты ультразвука для акустических волн, распространяющихся вдоль оси X. Результаты теоретического анализа были использованы для создания акустооптических ячеек на продольной и сдвиговой акустических волнах. Эти ячейки были использованы при экспериментальном исследовании анизотропного акустооптического взаимодействия в теллуре на длине волны света λ = 10.6 мкм. Методом эхо-импульсов были измерены скорости акустических волн в созданных АО ячейках для двух акустических мод: продольной волны, распространяющейся вдоль оси X со скоростью v = 2450 м/с и для сдвиговой волны, распространяющейся под углом α = 4о к оси X со скоростью v = 2700 м/с. В работе обсуждаются акустооптические характеристики кристалла теллура с целью применения данного материала в устройствах управления параметрами излучения в дальнем инфракрасном диапазоне длин волн электромагнитного спектра.