|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Electronic structure of Ge(111)-(2х1) surface in the presence of doping atoms. Ab initio analysis of STM dataдоклад на конференции
- Авторы: Орешкин С.И., Панов В.И., Савинов С.В., Орешкин А.И.
- Международная Конференция (Симпозиум) : 19th international Symposium Nanostructures: Physics and Technology
- Даты проведения конференции: 2011
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: St. Petersburg
- Добавил в систему: Орешкин Андрей Иванович