|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование поверхностных состояний в топологических изоляторах (BixIn1-x)2Se3доклад на конференции
- Авторы: Егорова С.Г., Галеева А.В., Тамм М.Е., Хохлов Д.Р., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Яшина Л.В.
- Международная Конференция : XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
- Даты проведения конференции: 15-20 февраля 2016
- Дата доклада: 17 февраля 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Егорова С.Г.
- Место проведения: Екатеринбург, Russia
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович