Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
доклад на конференции
Авторы:
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Мазалов А.В.
,
Авакянц Л.П.
,
Сабитов Д.Р.
,
Мармалюк А.А.
,
Асланян А.Э.
,
Курешов В.Р.
Международная Конференция :
10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
Даты проведения конференции:
15-16 мая 2019
Дата доклада:
16 мая 2019
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Червяков А.В.
Туркин А.Н.
Мазалов А.В.
Авакянц Л.П.
Сабитов Д.Р.
Мармалюк А.А.
Асланян А.Э.
Курешов В.Р.
Место проведения:
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Russia
Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Добавил в систему:
Туркин Андрей Николаевич