|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Использование метода электротреппинга для создания одноэлектронных транзисторовдоклад на конференции
- Авторы: Дагесян С.А., Снигирев О.В., Солдатов Е.С., Галстян А.Г.
- Всероссийская с международным участием Конференция (Семинар (workshop)) : XV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»)
- Даты проведения конференции: 5-10 июня 2016
- Дата доклада: 7 июня 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Галстян А.Г.
- Место проведения: Красновидово, Московская область, Russia
-
Аннотация доклада:
В данной работе представлена методика создания планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов с применением диэлектрофореза для встраивания острова в транзистор. Усовершенствованная система проведения электромиграции позволила создавать нанозазоры с характерным размером 2-4 нм с высоким (до 95 %) выходом годных. Для встраивания в эти зазоры квантовой точки (острова), в качестве которой использованы наночастицы золота диаметром 2-4 нм - разработана система проведения электротреппинга.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич