Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Изучение образования дефектов в пленках кремния на сапфире под действием ионного облучения методом комбинационного рассеяния света
доклад на конференции
Авторы:
Кушкина К.Д.
,
Шемухин А.А.
,
Букунов К.А.
,
Евсеев А.П.
,
Черныш В.С.
Международная Конференция :
XLVI международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
Даты проведения конференции:
31 мая - 2 июня 2016
Дата доклада:
1 июня 2016
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
не указан
не указан
Кушкина К.Д.
Шемухин А.А.
Букунов К.А.
Евсеев А.П.
Черныш В.С.
Место проведения:
Москва, Russia
Добавил в систему:
Евсеев Александр Павлович