|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Мощные лазерные линейки и решетки на основе гетероструктур с квантовыми ямами AlGaAs и GaAsPдоклад на конференции
- Авторы: Ладугин М.А., Падалица А.А., Яроцкая И.В., Багаев Т.А., Лобинцов А.В., Курнявко Ю.В., Сапожников С.М., Данилов А.И., Иванова Е.Б., Мармалюк А.А., Симаков В.А.
- Международная Конференция (Симпозиум) : IV симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология»
- Даты проведения конференции: 10-13 ноября 2014
- Дата доклада: 10 ноября 2014
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Санкт-Петербург, Russia
-
Аннотация доклада:
Для генерации мощного импульсного лазерного излучения разработан подход, основанный на принципе эпитаксиальной и функциональной интеграции быстрого, мощного токового ключа и лазерной гетероструктуры - так называемый лазер-тиристор. Такой подход позволяет сократить потери на внешних электрических связях, что особенно важно при накачке короткими импульсами тока (десятки и единицы нс) высокой амплитуды (десятки А), существенно упростить технологию изготовления импульсного лазерного источника как готового продукта, обеспечить сборку стэков многоэлементных систем. В данной работе мы представляем последние результаты исследований в области генерации мощного импульсного лазерного излучения полупроводниковыми лазерамитиристорами
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич