Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
доклад на конференции
Авторы:
Кривобок В.С.
,
Литвинов Д.А.
,
Николаев С.Н.
,
Онищенко Е.Е.
, Пашкеев Д.А.,
Чернопицский М.А.
,
Григорьева Л.Н.
Всероссийская Конференция :
Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике
Даты проведения конференции:
12-14 ноября 2019
Дата доклада:
14 ноября 2019
Тип доклада:
Устный
Докладчик:
Григорьева Людмила Николаевна
Место проведения:
ФИАН им. П.Н. Лебедева, Россия
Добавил в систему:
Григорьева Людмила Николаевна