|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазонадоклад на конференции
- Авторы: Кривобок В.С., Литвинов Д.А., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пашкеев Д.А., Чернопицский М.А., Григорьева Л.Н.
- Всероссийская Конференция : Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике
- Даты проведения конференции: 12-14 ноября 2019
- Дата доклада: 14 ноября 2019
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Григорьева Л.Н.
- Место проведения: ФИАН им. П.Н. Лебедева, Russia
- Добавил в систему: Григорьева Людмила Николаевна